TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION MEMPERKENALKAN PROSES SOI DENGAN BENTUK BUNYI R

TOKYO, 26 Jan (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hari ini mengumumkan pembangunan "TaRF10," sebuah proses TarfSOITM generasi baharu (RF SOI[1] termaju Toshiba) yang dioptimumkan untuk amplifier bunyi rendah (LNA) di dalam aplikasi telefon pintar. Dalam tahun-tahun kebelakangan ini, peningkatan kelajuan bagi komunikasi data mudah alih telah memperluaskan penggunaan suis dan penapis RF di dalam bahagian depan analog bagi peranti mudah alih. Peningkatan yang dicapai di dalam kehilangan isyarat di antara antena dan litar penerima telah menurunkan sensitiviti penerima, dan memberi tumpuan kepada LNA dengan bentuk bunyi rendah[2] (NF) sebagai satu cara untuk mengimbangi bagi kehilangan isyarat dan meningkatkan integriti bagi isyarat yang diterima. Toshiba Electronic Devices & Storage telah menggunakan proses TaRF10 mereka yang baharu untuk membangunkan sebuah prototaip LNA dengan bentuk bunyi yang luar biasa iaitu 0.72dB dan satu perolehan[3] sebanyak 16.9dB pada frekuensi 1.8GHz. Peranti mudah alih menggunakan banyak suis RF dan LNA di dalam litar penerima, yang menghasilkan satu keperluan untuk mengurangkan saiz litar bagi mengurangkan penggunaan ruang papan. LNA yang sedia ada biasanya menggunakan transistor dwikutub silikon-germanium-karbon (SiGe:C), dan ia adalah sukar untuk menyatukan suis LNA dan RF yang direka dengan proses yang berbeza pada cip yang sama. Proses TaRF10 yang baharu itu dapat mengintegrasikan LNA, litar kawalan dan suis RF pada satu cip tunggal, kerana ia sangat serasi dengan proses TaRF8 dan TaRF9 bagi suis RF, yang memperoleh ciri-ciri RF yang luar biasa. TaRF9 merealisasikan kehilangan penyisipan yang lebih rendah dan herotan isyarat berbanding dengan TaRF8. Toshiba Electronic Devices & Storage kini merancang untuk membawa ke pasaran LNA dengan suis RF yang bersepadu. Toshiba Electronic Devices & Storage telah membangunkan IC RF dengan menggunakan anak syarikatnya, Japan Semiconductor Corporation untuk menerapkan teknologi SOI-CMOS terkini, dan dengan mengendalikan kesemua aspek bagi aliran pengeluaran, dari pembangunan teknologi proses RF kepada reka bentuk dan pembuatan, memperoleh pelancaran produk yang pantas. Untuk memenuhi keperluan pasaran bagi generasi akan datang bagi telefon pintar 5G, syarikat itu akan terus meningkatkan lagi ciri-ciri bagi proses TarfSOITM dan membangunkan IC RF dengan teknologi canggih.

http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=10800