TOSHIBA MENGELUARKAN MOSFET KECIL DENGAN PERLINDUNGAN ESD TINGGI UNTUK MEMACUKAN LAMPU BESAR LED

TOKYO, 26 Mac (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah mengeluarkan sebuah dwi MOSFET "SSM6N813R" dengan perlindungan ESD tinggi yang ditempatkan untuk kegunaan di dalam aplikasi automotif, termasuk sebagai sebuah pemacu IC untuk lampu besar LED, yang memerlukan voltan ketahanan yang tinggi dan sebuah jejak yang kecil. Penghantaran secara besar-besaran bermula pada April. Siaran media ini mempunyai ciri-ciri multimedia. Lihat siaran lengkap di sini: https://www.businesswire.com/news/home/20180326005358/en/ Sebuah voltan sumber salir yang maksimum (VDSS) iaitu 100V memastikan bahawa SSM6N813R adalah sesuai untuk aplikasi lampu besar yang memerlukan pelbagai LED —sebuah keupayaan yang disokong oleh imuniti ESD yang tinggi. Dikilangkan dengan menggunakan proses terbaharu dan ditempatkan di dalam sebuah pakej TSOP6F, SSM6N813R mempunyai satu pelesapan kuasa yang dibenarkan sebanyak 1.5W dan rintangan rendah. Di samping itu, jejak bagi pakej TSOP6F itu adalah 70% lebih kecil berbanding dengan sebuah pakej SOP8.

http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=10970